基于多孔硅光激荧光淬灭效应的SO2传感器
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TP212

基金项目:

国家自然科学基金,教育部春晖计划项目,20007006,1999)95-14,,


A Porous Silicon Sensor Based on Photoluminescent Quenching for Monitoring Sulfur Dioxide
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    本文提出了用于大气环境中SO2含量监测的多孔硅(porous silicon)光学传感方法,该方法利用电化学浸蚀和UV光氧化后形成轻微氧化孔Si,所产生的表面膜对SiO2气体具有良好的敏感特性,本文依据SiOxHy/Si界面处的过渡态模型分析了该方法的传感原理,利用SEM和荧光光谱仪对UV 光氧化的多孔Si膜层性质及传感性能进行初步实验,取得预期研究结果。

    Abstract:

    An optical sensing method was proposed for monitoring SO 2 gas in the environment based on photoluminescent quenching of lightly oxidized porous silicon.After electrochemica,etching and light oxidizing by UV light,the porous silicon film showed high sensitive characteristic to SO 2 gas.The principle of this method was analyzed,the film properties were studized by SEM and luminescence spectrometer.The reversible photoluminescent quenching of lightly oxidized porous silicon can be observeded so long as contacting with SO 2 gas.The experimental results were in good accordac e with the principle.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

黎学明 李虎 等.基于多孔硅光激荧光淬灭效应的SO2传感器[J].光电子激光,2001,(10):992~995

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2001-02-28
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码