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硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
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TN304

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    成果简介 β-FeSi2作为一种新型半导体材料,具有Eg＝0.84-0.89eV直接带隙,并能在硅表面外延,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源,探测器等光电器件,并进而发展光电器件与VLSI及ULSI的集成提供了可能.

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引用本文

林成鲁,王连卫,陈向东,沈勤我,郑立荣,倪如山.硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究[J].光电子激光,2000,(3):329~

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