本文利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ系统在ＩｎＰ（００１）衬底上先生长约２ｎｍ的ＧａＡｓ张应变层，再依据Ｓ－Ｋ生长模式生长ＩｎＡｓ量子点层。用量子力显微镜（ＡＦＭ）对ＩｎＡｓ量子点（岛化）进行了研究。研究发现当ＩｎＡｓ层的厚度为２个单原子层（ＭＬ）时，刚刚有ＩｎＡｓ自组装量子点在表面形成；当ＩｎＡｓ层的厚度为ＭＬ时，有大量的ＩｎＡｓ自组装量子眯在表面形成，且量子点的有规律地沿两个正交方向排列，沿某一方面排列较