首页 > 过刊浏览>2000年第卷第1期 >17-19
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Si1-XGeX/Si红外光电探测器
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[cstr]
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TN215

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Si1-XGeX/Si Infrared Photodetectors
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    本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ型红外探测器。其波长范围为０．７０～１．５５μｍ，峰值波长为０．９６～１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．３μｍ处的响应度高达０．１５Ａ／Ｗ（－５Ｖ）；讨论了Ｇｅ组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参数的影响。

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引用本文

江若琏 罗志云. Si1-XGeX/Si红外光电探测器[J].光电子激光,2000,(1):17~19

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  • 最后修改日期:1999-09-09
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