首页 > 过刊浏览>2000年第卷第1期 >14-16
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制
DOI:
CSTR:
[cstr]
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN761

基金项目:

国家“八六三”计划资助项目，国家自然科学重点基金资助项目!( 696360 1 0 )，中国博士后基金


SiGe/Si Mach-Zehnder Interferometer Modulator
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    基于ＧｅＳｉ合金的等离子体色散效应，研制了一种Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型调制器，通过对其损耗和调制特征的测试得到：调制器对１．３μｍ光的插入损耗为６．５ｄＢ，最大调制深度达８５％，相应的π相移调制民压为０．９Ｖ，关断电流和调制区的注入电流密度分别为４０ｍＡ和０．９７ｋＡ／ｃｍ＾２。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

李宝军 万建军. GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制[J].光电子激光,2000,(1):14~16

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码
邮政编码：300384 电话：022-60214470
网址：http://www.joelcn.net E-mail：baenxu@263.net
技术支持：北京勤云科技发展有限公司
光电子激光 ® 2025 版权所有