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MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
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[cstr]
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中图分类号:

TN248.4

基金项目:

国家“八六三”计划资助项目，国家自然科学基金资助项目 !( 698860 1)，北京市自然科学基金资助项目 ( 4 982 0 0 7)


MOCVD Growth of Carbon Doped GaAs/AlGaAs High Power Semiconductor Lasers
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    利用低压金属有机金属化合物气相沉积方法，以液态ＣＣｌ，为掺杂源生长了高质量Ｃ掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料，并对生长机理、材料特性以及Ｃ掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以Ｃ为Ｐ型掺杂剂的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ应变量子阱半导体激光器结构，置备了高性能９８０ｎｍ大功率半导体激光器。

    Abstract:

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引用本文

廉鹏 邹德恕. MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器[J].光电子激光,2000,(1):4~6

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  • 最后修改日期:1999-10-05
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