首页 > 过刊浏览>1999年第卷第6期 >584-588
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基于Be的宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体材料及激光二极管研究
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[cstr]
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TN304.1 TN31

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“八六三”计划“光电子主题”资助课题!（863－307－05－04（01））


Progress of Wide-gap
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    宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料，铍的硫属化物如ＢｅＴｅ，ＢｅＳｅ和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ有好的晶格匹配。因此认为ＺｎＳｅ基半导体材料中加入Ｂｅ对ＺｎＳｅ蓝绿激光二极管寿命将有明显改善。本文介绍近几年这方面的研究成果和发展动态。

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引用本文

张吉英 申德振.基于Be的宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体材料及激光二极管研究[J].光电子激光,1999,(6):584~588

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