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高功率GaAlAs／GaAs量子阱SCH半导体激光器
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[cstr]
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TN248.4

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High Power GaAlAs/GaAs SCH Lasers
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    利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测试结果表明，样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１Ｗ，斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。

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引用本文

宋晓伟 张宝顺.高功率GaAlAs／GaAs量子阱SCH半导体激光器[J].光电子激光,1999,(6):505~507

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  • 最后修改日期:1999-09-15
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