本文利用椭圆偏振光谱法测量了用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的AlGaInP及AlGaInP掺Si两个样品，在可见光区室温下的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论(EMA)和线性内插法计算了样品中Al的组分，并与X射线微区分析法(能谱法)的测量结果加以比较，三者结果相符。
张淑芝 连洁 魏爱俭 黄伯标 崔德良 秦晓燕 王海涛. AlxGa0．51－xIn0．49P中Al的组分研究[J].光电子激光,1999,(5):1~
