首页 > 过刊浏览>1999年第卷第4期 >1
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
MOCVD生长的未掺杂的In1－xGaxP中的本征缺陷
DOI:
CSTR:
[cstr]
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Native Defects in Undoped In1
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    利用深能级瞬态谱(DLTS)和瞬态光电阻率谱(TPRS)研究了利用金属有机物化学气相沉淀(MOCVD)方法生长的未有意掺杂的In

    Abstract:

    利用深能级瞬态谱(DLTS)和瞬态光电阻率谱(TPRS)研究了利用金属有机物化学气相沉淀(MOCVD)方法生长的未有意掺杂的In

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王海龙 封松林. MOCVD生长的未掺杂的In1－xGaxP中的本征缺陷[J].光电子激光,1999,(4):1~

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码
邮政编码：300384 电话：022-60214470
网址：http://www.joelcn.net E-mail：baenxu@263.net
技术支持：北京勤云科技发展有限公司
光电子激光 ® 2025 版权所有