首页 > 过刊浏览>1999年第卷第4期 >344-346
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MOCVD生长的未掺杂的In1—xxGaxP中的本征缺陷
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O347 TN304.01

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    利用能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学气相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的未有间 杂的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ中缺陷对载流子的俘获和发射过程，利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３５ｅＶ的缺陷，由ＴＰＲＳ测量确定该缺陷的俘获势垒值介于１８０ｍｅＶ到２４０ｍｅＶ之间。该缺陷的俘获势垒值的大的分布解释为缺陷周围原子重组的微观波动。同时在ＴＰＲＳ测量中服获获势垒为０．０６

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引用本文

王海龙 封松林. MOCVD生长的未掺杂的In1—xxGaxP中的本征缺陷[J].光电子激光,1999,(4):344~346

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