首页 > 过刊浏览>1999年第卷第3期 >203-206
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GaAs1＊4光功分器的制作
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TN246.05

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    本文在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ外延材料上设计和制作 了ＭＭＩ型１＊４光功分器。文中首先给出器件的基本工作原理和特点，随后主要讨论器件制作中的ＧａＡｓ材料的干法刻蚀工艺，最后给出器件测试结果。

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引用本文

杨建义 周强. GaAs1＊4光功分器的制作[J].光电子激光,1999,(3):203~206

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