PC型HgCdTe中记忆效应的激子解释
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TN215.01

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国家教委跨世纪优秀人才计划基金,霍英东教育基金,高校青年教师基金,江苏省自然科学基金


The Excitons model Explaining on Remaining Effect of the PC type HgCdTe
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    本文对低温下激光与PC型HgCdTe在激光照射后将产生的记忆效应进行了研究。根据本文提出的激光诱导激子的物理模型,得到了PC型HgCdTe在激光作用时电导率下降是激子对载流子散射的结论。理论计算结果与实验结果基本一致。

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引用本文

刘晓然 陆建. PC型HgCdTe中记忆效应的激子解释[J].光电子激光,1998,(6):450~452,468

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