首页 > 过刊浏览>1998年第卷第1期 >68-70
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光电子材料InP与金属接触的物理特性研究
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[cstr]
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TN305.93 TN204

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Characteristic Analyses for InP Contacted with Metals
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    本文讨论了ＩｎＰ与金属接触时的电荷输运方式，给出了ｎ型ＩｎＰ材料掺杂浓度为（１×１０＾１５－１×１０＾１７）ｃｍ＾－３时，电子输运的数学表达式；测量了国产ＩｎＰ单晶与一些金属的接触势垒；分析了“金属－ｎ＾＋－ＩｎＰ”结构，和到了ｎ＾＋区厚度和势垒高度间的关系。

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引用本文

徐建成 陈定钦.光电子材料InP与金属接触的物理特性研究[J].光电子激光,1998,(1):68~70

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