分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
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TN450.984 TN304.054

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山东省科委资助


Investigation on a YAG laser with CPM Self filtering Unstable Resonator
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    摘要:

    采用分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs单量子阱得多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW。

    Abstract:

    Applying self filtering unstable resonator with an antiresonant ring and a convex mirror to a colliding pulse mode locking Nd:YAG laser, we improved the spatial quality of light beam and output stability and obtained the mode locked trains of 50 mj energy and 10 ps pulse duration with times diffraction limit divergence. Meantime, we compared experimentally the properties of two CPM unstable resonators with a filtering aperture and without it.

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引用本文

宋珂 曾一平.分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究[J].光电子激光,1997,(3):175~177

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