| 李世国,龚谦,曹春芳,王新中,沈晓霞,周志文,张卫丰,范金坪.InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究[J].光电子激光,2015,26(1):30~34 |
| InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究 |
| Characteristic study of ohmic contact alloy layer in InAs/InP quantum dot lasers |
| 投稿时间：2014-10-14 |
| DOI： |
| 中文关键词: 量子点 激光器 接触电阻 合金化 |
| 英文关键词:quantum dot laser contact resistance alloying |
| 基金项目:国家自然科学基金(62104058)、广东省自然科科学基金(S2013010011833)和深圳市科技创新 计划(JCYJ20130401095559823)资助项目 (1.深圳信息职业技术学院 电子与通信技学院,广东 深圳 518172; 2.中国科学院上海微 系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050) |
| 作者 | 单位 | | 李世国 | 深圳信息职业技术学院 电子与通信技学院,广东 深圳 518172 | | 龚谦 | 中国科学院 上海微 系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 | | 曹春芳 | 中国科学院 上海微 系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 | | 王新中 | 深圳信息职业技术学院 电子与通信技学院,广东 深圳 518172 | | 沈晓霞 | 深圳信息职业技术学院 电子与通信技学院,广东 深圳 518172 | | 周志文 | 深圳信息职业技术学院 电子与通信技学院,广东 深圳 518172 | | 张卫丰 | 深圳信息职业技术学院 电子与通信技学院,广东 深圳 518172 | | 范金坪 | 深圳信息职业技术学院 电子与通信技学院,广东 深圳 518172 |
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| 中文摘要: |
| 合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光 器的性能有很大影响,而接触电阻的 大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光 器的欧姆接触合金层,通过改变退 火温度和退火时间调节量子点激光器中接触电阻的阻值。实验发现,退火时间对接触电阻的 改变不 大,但是提高退火温度却能极大地降低接触电阻的阻值。实验获得了Au/Ni/Au/Ge 合金层与InAs/InP量子点激光器最佳欧姆接触条件,通过矩阵传输法测得相应接触电阻率为 1.34×10－6 Ω·cm2。在此条件下,制备激射中心波长为 1.577μm的多模量子点 激光器,室温下单面最大输出功率达到和超过39mW。 |
| 英文摘要: |
| Ohmic contact resistance between InAs/InP quantum dot lasers and metal has a great impact on lasers′ performance.The value of contact resistance has a relationship with metal,annealing temperature and annealing time.By taking met al as Au/Ni/Au/Ge,the ohmic contact resistance of InAs/InP quantum dot laser is adju sted by changing the annealing temperature and annealing time.We find that the anneali ng time has a little influence on resistance.In contrast,the value of contact resistance decreases quickly with the increase of annealing temperature.A suitable conditi on between InAs/InP quantum dot lasers and metal is finally obtained and exhibits a resistivity of 1.34×10－6 Ω·cm2by a transfer matrix method.At the sa me time,taking this as a processing condition,an InAs/InP quantum dot laser with its multi-mode emiss ion at a center wavelength of 1.577μm is fabricated.At room temperature,the laser has one facet power more than 39mW under continuous wave mode. |
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