康传振,王海龙,龚谦,严进一,成若海,汪洋,柳庆博,曹春芳,岳丽.高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器[J].光电子激光,2014,(7):1279~1283
高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器
High performance InAs/GaAs quantum dot external cavity lasers
投稿时间:2014-01-23  
DOI:
中文关键词:  量子点激光器(QDL)  外腔  光栅  边模抑制比(SMSR)
英文关键词:quantum dot lasers(QDL)  external cavity  grating  side mode suppression rati o (SMSR)
基金项目:国家自然科学基金(60976015,61176065)、山东省自然科学基金(ZR2010FM023)和信息功 能材料国家重点实验开放课题(SKL201307)资助项目 (1.曲阜师范大学 物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165; 2.中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050)
作者单位
康传振 曲阜师范大学 物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165 
王海龙 曲阜师范大学 物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165 
龚谦 中科院 上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 
严进一 中科院 上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 
成若海 中科院 上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 
汪洋 中科院 上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 
柳庆博 中科院 上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 
曹春芳 中科院 上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 
岳丽 中科院 上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 
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中文摘要:
      为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用I nAs/GaAs量子点 Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系 列的 性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连续 调谐测试和输 出功率测试。在室温条件下获得了24.6nm的连续调谐范围,覆盖波长 从999.2nm到1023.8nm ,并且实现了 波长无跳模连续调谐。在调谐范围内最低阈值电流密度为1525A/cm2,而且在中心波长处获得的单模输出功 率为15mW,单模边模抑制比(SMSR) 高达35dB。研究结果表明,通过构建光栅外腔可以实现高性能的InAs/GaAs量子点ECL。
英文摘要:
      Because broadband tunable external cavity lasers have many advantages,such as frequency stability,low threshold current and tunable wavelength,which are wid ely applied to spectroscopy,biomedicine and optical telecommunication.Due to the dimension of quantum dot lasers is not well distributed with low threshold current and broad gain profile ,the broadband tunable quantum dot lasers are easier to realize.In order to obtain higher performance InAs/GaAs quantum dot external cavity lasers, we have researched a grating external cavity tunable laser based on InAs/GaAs quantum do t (QD) Fabry-Perot (FP) laser diode.We carry on systematical characterizations on In As/GaAs quantum dots external cavity lasers,which mainly include the stability of single-mode lasing,the tuning range of single-mode lasing,the threshold current density,the continuous single-mo de tuning without mode-hoping and the output power measurement.A tuning range of 24.6nm has been achieved at room temperature,cov ering the wavelength from 999.2nm to 1023.8nm,in which hop-free tuni ng has been obtained.The lowest threshold current density is measured as 1525A/cm2and the output power is above 15mW, with side mode suppression ratio above 35dB.The results of research show that high performance InAs/GaAs quantum dot external cavity lasers have been realized.
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