李伟,谷文浩,李吉宁,常胜江,莫漫漫,文岐业,王湘辉,林列.基于VO2相变的光控太赫兹调制器[J].光电子激光,2014,(7):1248~1253
基于VO2相变的光控太赫兹调制器
Optical pumping THz modulators based on VO2insulator-metal phase transition
投稿时间:2014-03-04  
DOI:
中文关键词:  太赫兹(THz)波  调制器  VO2薄膜  绝缘体-金属相变
英文关键词:terahertz (THz) waves  modulator  VO2thin film  insulator-me tal transition
基金项目:国家重点基础研究发展计划(2014CB339800)、国家高技术研究发展计划(2011AA010205)、国家自然科学基金重大项目(61171027和61131005)、教育部科学技术研究重点(重大)项目(313013)和国家教育部新世纪人才支持计划(NCET-11-0068)资助项目 (1.南开大学 现代光学研究所,天津 300071; 2.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054)
作者单位
李伟 南开大学 现代光学研究所,天津 300071 
谷文浩 南开大学 现代光学研究所,天津 300071 
李吉宁 南开大学 现代光学研究所,天津 300071 
常胜江 南开大学 现代光学研究所,天津 300071 
莫漫漫 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054 
文岐业 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054 
王湘辉 南开大学 现代光学研究所,天津 300071 
林列 南开大学 现代光学研究所,天津 300071 
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中文摘要:
      基于VO2薄膜相变特性,通过在石英基底上 制备VO2薄膜和亚波长金孔阵列,并 在理论和实验上研究了金属孔阵列与VO2薄膜置于基底同侧和异侧的两种太赫兹(THz)调制 器。系统研究了在光 泵浦条件下两种样品的THz波的传输特性。结果表明,随着泵浦光功率的改变,两种结构 的器件均可以实现 对THz波强度的调制。对比分析两种结构器件的THz透射谱发现,紧邻金属孔阵 列的金属相VO2能够有效地抑制THz表面等离子体的局域透射增强效应,使调制 器的调制深度得到显著增强,这对基于相变材料调制器的设计具有重要意义。
英文摘要:
      Two types of terahertz (THz) modulators consisting of VO2thin film,SiO2su bstrate,and subwavelength metallic hole arrays have been designed and demonstrated.The transmission inten sities of these modulators can be actively tuned by the insulator-metal phase transition of VO2with moderate o ptical pumping.By comparing the two types of structures,it is obvious that the VO2film in metallic phase bene a th the metallic hole arrays can effectively undermine the localized enhancement of THz surface plasmons.By cont rolling the power of the pumping light,the enhanced modulation based on VO2thin film is demonstrated.
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